Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A

Изучены электрофизические характеристики структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе InAs(111)A с тонкими анодными слоями различной толщины (7–20 нм) в качестве диэлектрика. Установлено, что окисление InAs во фторсодержащем кислотном электролите приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний и встроенного заряда в анодном слое до величин $<$ 2 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$эВ$^{-1}$ и $\sim$ 3 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ соответственно. Сопоставление электрофизических параметров с химическим составом слоев показывает, что улучшение параметров границы раздела фторсодержащий анодный оксид/InAs(111)A обусловлено замещением атомов кислорода фтором в анодных слоях с образованием оксифторидов индия и мышьяка и связей In–F на поверхности InAs.