Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда

Предложена методика расчета параметров области пространственного заряда тонких пленок полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда при комнатных температурах. Реализована процедура самосогласованного решения уравнений Пуассона, Клейна–Гордона–Фока и Шредингера для соединения кадмий–ртуть–теллур. Получены точные подзонные законы дисперсии. Обнаружены явления линеаризации хода потенциала в тонких пленках и установлены границы применимости приближения треугольной ямы. Проведено сравнение хода потенциала в пленке, плотности заряда и вольт-фарадных характеристик, вычисленных в рамках приближения эффективной массы и феноменологической теории. Установлены границы применимости феноменологического описания области пространственного заряда. Выявлено влияние подсистемы тяжелых дырок на основные характеристики области пространственного заряда.