Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 334–344 (Mi phts7535)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001)

С. Н. Гриняевab, Л. Н. Никитинаab, В. Г. Тютеревbc

a Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050 Томск, Россия
b Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c Томский государственный педагогический университет, 634041 Томск, Россия
PDF полного текста (870 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: На основе метода функционала электронной плотности определены деформационные потенциалы рассеяния электронов на коротковолновых фононах для междолинных переходов в зоне проводимости короткопериодических сверхрешеток (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001) ($m$, $n$ = 1, 2, 3). Проведен анализ зависимости электронных, фононных состояний и деформационных потенциалов от толщины слоев сверхрешеток. Результаты ab-initio расчетов хорошо согласуются с данными эмпирического расчета объединенных по фононам деформационных потенциалов, но отличаются от соответствующих потенциалов для парциальных каналов рассеяния вследствие приближений феноменологической модели сил связи.
Поступила в редакцию: 15.05.2013
Принята в печать: 26.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 320–331
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Гриняев, Л. Н. Никитина, В. Г. Тютерев, “Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001)”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 334–344; Semiconductors, 48:3 (2014), 320–331
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriNikTyu14}
\by С.~Н.~Гриняев, Л.~Н.~Никитина, В.~Г.~Тютерев
\paper Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 334--344
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7535}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310745}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 320--331
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7535
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p334
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025