Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 345–351 (Mi phts7536)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Термостимулированное резонансное туннелирование в асимметричных системах двойных квантовых ям CdSe/ZnSe с самоорганизованными квантовыми точками

А. Н. Резницкийa, А. А. Клочихинab, М. В. Еременкоa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН, 350000 Гатчина, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследование фотолюминесценции двойных квантовых ям, образованных осаждением двух слоев CdSe различной номинальной толщины в матрице ZnSe, обнаружило сильную зависимость спектра фотолюминесценции от ширины барьера ZnSe, разделяющего квантовые ямы, от энергии возбуждающего фотона и от температуры. Мы исследовали спектры фотолюминесценции при ширинах барьера 34, 50 и 63 монослоев при возбуждении фотонами с энергиями 3.06, 2.71 и 2.54 эВ в интервале температур 5–200 K. В спектре фотолюминесценции при надбарьерном (3.06 эВ) и подбарьерном возбуждениях (2.71 эВ) наблюдаются две полосы $I_1(T)$ и $I_2(T)$, соответствующие рекомбинации экситонов, локализованных в квантовых точках мелкой и глубокой квантовых ям. Увеличение температуры до $\sim$ 50 K приводит лишь к слабому уменьшению как суммарной интегральной интенсивности излучения обеих полос $I_{\mathrm{PL}}(T)$, так и каждой из полос $I_1(T)$ и $I_2(T)$ в отдельности. Дальнейшее повышение температуры приводит к существенному перераспределению интенсивности фотолюминесценции между ямами, которое мы связываем с туннелированием экситонов из состояний квантовых точек мелкой ямы в глубокую. Этот процесс имеет активационный характер и проявляется в быстром уменьшении интегральной интенсивности излучения из мелкой квантовой ямы $I_1(T)$ с одновременным возрастанием интенсивности излучения из квантовых точек глубокой квантовой ямы $I_2(T)$. Обнаруженный эффект достигает максимума в области температур $T$ = 110–130 K и максимален в образце с толщиной барьера 50 монослоев. Туннелирование, скорее всего, имеет резонансный характер, так как ширина барьера значительно больше ширин обеих ям, что предопределяет слабое проникновение волновых функций в соседнюю яму, а сам эффект слабо затухает с увеличением толщины барьера. Энергия активации при этом превосходит энергию оптического фонона по крайней мере в 3 раза, что не объясняется существующей теорией.
Поступила в редакцию: 19.06.2013
Принята в печать: 20.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 332–337
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Резницкий, А. А. Клочихин, М. В. Еременко, “Термостимулированное резонансное туннелирование в асимметричных системах двойных квантовых ям CdSe/ZnSe с самоорганизованными квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 345–351; Semiconductors, 48:3 (2014), 332–337
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezKloEre14}
\by А.~Н.~Резницкий, А.~А.~Клочихин, М.~В.~Еременко
\paper Термостимулированное резонансное туннелирование в асимметричных системах двойных квантовых ям CdSe/ZnSe с самоорганизованными квантовыми точками
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 345--351
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7536}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310746}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 332--337
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7536
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p345
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025