Фотоэлектрические свойства инжекционного фотоприемника на основе твердых растворов соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

На основе твердых растворов соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ $n$-CdS$_x$Te$_{1-x}$, $p$-Zn$_y$Cd$_{1-y}$Te создана фоточувствительная структура, обладающая высокой интегральной чувствительностью $S_{\mathrm{int}}\approx$ 700 А/лм (14 500 А/Вт) при комнатной температуре. Исследованы ее фотоэлектрические свойства при разных уровнях освещенности и напряжениях смещения. Обнаружено, что при малых уровнях освещенности и прямых напряжениях смещения в такой структуре диффузионные и дрейфовые потоки неравновесных носителей направлены противоположно друг другу. Такой эффект приводит к появлению инверсии знака фототока, что позволяет на ее основе создавать селективные фотоприемники с инжекционными свойствами.