Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 375–383 (Mi phts7541)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов

С. Г. Дорофеевa, Н. Н. Кононовb, В. М. Звероловлевc, К. В. Зиновьевc, В. Н. Сухановc, Н. М. Сухановc, Б. Г. Грибовc

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991 Москва, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
c Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт особо чистых материалов" ОАО "НИИОСЧМ ", 124575 Москва, Зеленоград, Россия
PDF полного текста (520 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Изучено влияние тонких пленок из наночастиц кремния (nc-Si) на увеличение эффективности преобразования света солнечными элементами из монокристаллического кремния при нанесении таких пленок на их лицевую поверхность. Для формирования тонких пленок использовались нелюминесцирующие наночастицы кремния, имеющие средний диаметр 12 нм с оболочкой из SiO$_x$ (0 $\le x\le$ 2), и наночастицы кремния диаметром 2 нм с органической оболочкой из октадецена, обладающие способностью к фотолюминесценции в красной области спектра. Обнаружено, что нанесение пленок увеличивает эффективность преобразования солнечных элементов на 12% относительно первоначальной величины. Из анализа вольт-амперных характеристик и спектров отражения солнечных элементов сделан вывод о том, что увеличение эффективности преобразования определяется пассивацией наночастицами дефектов на лицевой поверхности солнечного элемента и уменьшением отражения света от нее.
Поступила в редакцию: 18.04.2013
Принята в печать: 23.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 360–368
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030105
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, В. М. Звероловлев, К. В. Зиновьев, В. Н. Суханов, Н. М. Суханов, Б. Г. Грибов, “Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 375–383; Semiconductors, 48:3 (2014), 360–368
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorKonZve14}
\by С.~Г.~Дорофеев, Н.~Н.~Кононов, В.~М.~Звероловлев, К.~В.~Зиновьев, В.~Н.~Суханов, Н.~М.~Суханов, Б.~Г.~Грибов
\paper Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 375--383
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7541}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310751}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 360--368
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030105}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7541
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p375
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025