|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 384–387
(Mi phts7542)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур
М. А. Бочковa, А. Г. Витухновскийa, И. В. Тайдаковa, А. А. Ващенкоa, А. В. Кацабаa, С. А. Амброзевичa, П. Н. Брунковb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследована дырочная подвижность в пленках из трех соединений – комплексов на основе $\beta$-дикетонатов европия, нанесенных с помощью вакуумного напыления, с помощью времяпролетной методики. Показано, что для всех рассмотренных соединений при возбуждении импульсным излучением с длиной волны 337 нм фотогенерация носителей в пленках не наблюдается. Введение в образцы фотогенерационных слоев на основе пентацена позволило наблюдать кривые переходного тока. Было обнаружено, что в комплексе европия со вспомогательным лигандом на основе батофенантролина наблюдается дисперсионная компонета переходного тока, отвечающая транспорту дырок. Из этих данных была определена дырочная подвижность. В комплексах со вспомогательным лигандом на основе фенантролина дисперсионная компонента тока дырок не наблюдалась. Сделан вывод, что последнее связано с низкими величинами подвижности в таких соединениях. Это объяснено уменьшением степени сопряжения ароматической системы при переходе от батофенантролина к фенантролину.
Поступила в редакцию: 11.06.2013 Принята в печать: 24.06.2013
Образец цитирования:
М. А. Бочков, А. Г. Витухновский, И. В. Тайдаков, А. А. Ващенко, А. В. Кацаба, С. А. Амброзевич, П. Н. Брунков, “Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 384–387; Semiconductors, 48:3 (2014), 369–372
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7542 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p384
|
|