Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 384–387 (Mi phts7542)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур

М. А. Бочковa, А. Г. Витухновскийa, И. В. Тайдаковa, А. А. Ващенкоa, А. В. Кацабаa, С. А. Амброзевичa, П. Н. Брунковb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследована дырочная подвижность в пленках из трех соединений – комплексов на основе $\beta$-дикетонатов европия, нанесенных с помощью вакуумного напыления, с помощью времяпролетной методики. Показано, что для всех рассмотренных соединений при возбуждении импульсным излучением с длиной волны 337 нм фотогенерация носителей в пленках не наблюдается. Введение в образцы фотогенерационных слоев на основе пентацена позволило наблюдать кривые переходного тока. Было обнаружено, что в комплексе европия со вспомогательным лигандом на основе батофенантролина наблюдается дисперсионная компонета переходного тока, отвечающая транспорту дырок. Из этих данных была определена дырочная подвижность. В комплексах со вспомогательным лигандом на основе фенантролина дисперсионная компонента тока дырок не наблюдалась. Сделан вывод, что последнее связано с низкими величинами подвижности в таких соединениях. Это объяснено уменьшением степени сопряжения ароматической системы при переходе от батофенантролина к фенантролину.
Поступила в редакцию: 11.06.2013
Принята в печать: 24.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 369–372
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Бочков, А. Г. Витухновский, И. В. Тайдаков, А. А. Ващенко, А. В. Кацаба, С. А. Амброзевич, П. Н. Брунков, “Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 384–387; Semiconductors, 48:3 (2014), 369–372
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BocVitTai14}
\by М.~А.~Бочков, А.~Г.~Витухновский, И.~В.~Тайдаков, А.~А.~Ващенко, А.~В.~Кацаба, С.~А.~Амброзевич, П.~Н.~Брунков
\paper Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 384--387
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7542}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310752}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 369--372
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7542
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p384
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025