Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 388–391 (Mi phts7543)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм

В. В. Шамахов, А. В. Лютецкий, К. В. Бахвалов, И. С. Шашкин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (277 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены 2 типа лазерных гетероструктур – без компенсации внутренних напряжений, с эмиттерными и волноводными слоями из твердого раствора AlGaAs (тип 1), и лазерные гетероструктуры с компенсацией напряжений, с эмиттерными и волноводными слоями AlGaAsP (тип 2). Изготовлены линейки лазерных диодов шириной 5 мм и коэффициентом заполнения 24%, излучающие на длине волны 850 нм. Исследованы их мощностные характеристики в непрерывном и импульсном режимах генерации. Показано, что линейки лазерных диодов на основе структуры типа 2 обладают лучшей линейностью ватт-амперных характеристик в непрерывном и импульсном режимах генерации по сравнению с линейками лазерных диодов на основе структуры типа 1.
Поступила в редакцию: 17.06.2014
Принята в печать: 24.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 373–376
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030233
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Шамахов, А. В. Лютецкий, К. В. Бахвалов, И. С. Шашкин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 388–391; Semiconductors, 48:3 (2014), 373–376
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaLyuBak14}
\by В.~В.~Шамахов, А.~В.~Лютецкий, К.~В.~Бахвалов, И.~С.~Шашкин, М.~Г.~Растегаева, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, И.~С.~Тарасов
\paper Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 388--391
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7543}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310753}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 373--376
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030233}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7543
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p388
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025