Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования

Проведен расчет конструкции двух и трех переходных солнечных элементов на основе GaPNAs/Si решеточно-согласованных гетероструктур. Показано, что двухпереходные солнечные элементы, состоящие из перехода на основе твердого раствора GaPNAs с шириной запрещенной зоны 1.78 эВ и перехода на основе Si, могут достигать кпд 30.3% при AM1.5D 100 мВт/см$^2$ и 35.4% при AM1.5D 20 Вт/см$^2$. Максимальные значения кпд трехпереходного солнечного элемента, состоящего из верхнего и среднего перехода на основе GaPNAs с $E_g$ 2 и 1.5 эВ соответственно и нижнего перехода на основе Si, составляют 39.2% при AM1.5D 100 мВт/см$^2$ и 44.5% при AM1.5D 50 Вт/см$^2$. Показано влияние толщины и времени жизни неосновных носителей заряда фотоактивных слоев на эффективность преобразования солнечной энергии разрабатываемых гетероструктур.