Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке

Исследованы закономерности формирования омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре Al$_{0.26}$Ga$_{0.74}$N/AlN/GaN, выращенной на подложке из полуизолирующего Si (111). Установлены зависимости контактного сопротивления от толщины слоев Al (90, 120, 150, 180 нм) и Ti (15, 30 нм), а также оптимальные температурно-временны́е режимы отжига для каждого из изученных вариантов металлизации. Показано, что при увеличении толщины слоя Al от 90 до 180 нм и неизменных толщинах слоев Ta, Ti, Mo, Au минимально достижимое контактное сопротивление монотонно увеличивалось от 0.43 до 0.58 Ом $\cdot$ мм. Изменение толщины слоя Ti от 15 до 30 нм не оказало существенного влияния на минимальную величину приведенного контактного сопротивления. Наименьшее контактное сопротивление, равное 0.4 Ом $\cdot$ мм, было достигнуто при использовании слоев Ta/Ti/Al/Mo/Au с толщинами 10/15/90/40/25 нм соответственно. Оптимальная температура отжига для данного варианта металлизации составила 825$^\circ$C при длительности процесса 30 с. Полученные омические контакты имели ровный край контактных площадок и гладкую морфологию их поверхности.