Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 412–416 (Mi phts7548)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Получение двухслойных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств

В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Росликова, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, Н. А. Давлеткильдеев

Омский научный центр СО РАН, 644040 Омск, Россия
Аннотация: Цель данной работы – создание и исследование многослойных сенсорных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и нестехиометрического оксида олова. Были получены двухслойные структуры: “макропористый кремний-мезопористый кремний” на монокристаллическом кремнии с резкими геометрическими границами. Созданы тестовые структуры “композит-на-изоляторе”, где изолятором являются окисел на стенках макропористого кремния и захороненный слой окисленного мезопористого кремния, а чувствительным слоем – нестехиометрический оксид олова, осажденный на развитую поверхность окисленного макропористого кремния из парогазовой фазы (CVD-метод). Газовая чувствительность исследовалась при экспозиции в NO$_2$ и дегазации на воздухе при комнатной температуре. Чувствительность композитных структур por-Si/SnO$_x$ превышает чувствительность пленочных образцов оксида олова.
Поступила в редакцию: 14.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 397–401
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030063
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Росликова, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, Н. А. Давлеткильдеев, “Получение двухслойных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 412–416; Semiconductors, 48:3 (2014), 397–401
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolRosRos14}
\by В.~В.~Болотов, В.~Е.~Росликов, Е.~А.~Росликова, К.~Е.~Ивлев, Е.~В.~Князев, Н.~А.~Давлеткильдеев
\paper Получение двухслойных структур ``композит на изоляторе'' на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 412--416
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7548}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310759}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 397--401
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030063}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7548
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p412
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025