|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 412–416
(Mi phts7548)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Получение двухслойных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств
В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Росликова, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, Н. А. Давлеткильдеев Омский научный центр СО РАН, 644040 Омск, Россия
Аннотация:
Цель данной работы – создание и исследование многослойных сенсорных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и нестехиометрического оксида олова. Были получены двухслойные структуры: “макропористый кремний-мезопористый кремний” на монокристаллическом кремнии с резкими геометрическими границами. Созданы тестовые структуры “композит-на-изоляторе”, где изолятором являются окисел на стенках макропористого кремния и захороненный слой окисленного мезопористого кремния, а чувствительным слоем – нестехиометрический оксид олова, осажденный на развитую поверхность окисленного макропористого кремния из парогазовой фазы (CVD-метод). Газовая чувствительность исследовалась при экспозиции в NO$_2$ и дегазации на воздухе при комнатной температуре. Чувствительность композитных структур por-Si/SnO$_x$ превышает чувствительность пленочных образцов оксида олова.
Поступила в редакцию: 14.05.2013 Принята в печать: 04.06.2013
Образец цитирования:
В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Росликова, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, Н. А. Давлеткильдеев, “Получение двухслойных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 412–416; Semiconductors, 48:3 (2014), 397–401
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7548 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p412
|
|