Влияние особенностей технологии получения поликристаллического CdTe на проводимость и спектр глубоких уровней после отжига

Исследовалась проводимость, морфология и глубокие уровни в поликристаллическом CdTe. Нелегированный $p$-CdTe был выращен из паровой фазы низкотемпературными методами прямой химической реакции Cd и Te и вакуумной сублимации соединения состава $P_{\mathrm{min}}$. Выращен также CdTe, легированный хлором. Образцы имели удельное сопротивление $\sim$ 10$^5$–10$^9$ Ом $\cdot$ см. После отжига в жидком кадмии или в парах кадмия при $\sim$ 500$^\circ$C тип проводимости изменялся, концентрация свободных носителей в нелегированных образцах увеличивалась до 4 $\cdot$ 10$^{15}$, в легированном – до $\sim$ 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$. Для всех образцов в спектрах DLTS после отжига наблюдался основной уровень дефекта $\sim$ 0.84 эВ и непрерывный фон. Наблюдалась корреляция между концентрациями основного дефекта и свободных носителей в нелегированном и легированном CdTe. Хлор был основной остаточной примесью в нелегированных образцах. Предполагается, что дефект является комплексом, включающим хлор и наблюдаемые структурные дефекты CdTe.