|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 428–431
(Mi phts7551)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы
Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Изучался результат легирования селеном монокристаллов кремния при введении примеси методом диффузии из газовой фазы. Легирование проводилось в отпаянных кварцевых ампулах при температуре 1240$^\circ$C в течение 240 ч. Исследована зависимость концентрации вводимых глубоких донорных центров различного типа от давления пара диффузанта $p_{\mathrm{Se}}$. Найдено, что при относительно малых $p_{\mathrm{Se}}$ (0.02–0.06 атм) можно получать образцы с концентрацией атомарных центров Se, превышающей 10$^{15}$ см$^{-3}$. При этом содержание двухатомных комплексов Se$_2$ будет меньше на порядок и более величины. Полученные результаты могут представлять интерес в задачах исследования нелинейных оптических явлений с участием глубоких донорных центров в кремнии.
Поступила в редакцию: 17.07.2013 Принята в печать: 19.08.2013
Образец цитирования:
Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, “Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 428–431; Semiconductors, 48:3 (2014), 413–416
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7551 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p428
|
|