Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 428–431 (Mi phts7551)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы

Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Изучался результат легирования селеном монокристаллов кремния при введении примеси методом диффузии из газовой фазы. Легирование проводилось в отпаянных кварцевых ампулах при температуре 1240$^\circ$C в течение 240 ч. Исследована зависимость концентрации вводимых глубоких донорных центров различного типа от давления пара диффузанта $p_{\mathrm{Se}}$. Найдено, что при относительно малых $p_{\mathrm{Se}}$ (0.02–0.06 атм) можно получать образцы с концентрацией атомарных центров Se, превышающей 10$^{15}$ см$^{-3}$. При этом содержание двухатомных комплексов Se$_2$ будет меньше на порядок и более величины. Полученные результаты могут представлять интерес в задачах исследования нелинейных оптических явлений с участием глубоких донорных центров в кремнии.
Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 413–416
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614030038
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, “Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 428–431; Semiconductors, 48:3 (2014), 413–416
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstShuPor14}
\by Ю.~А.~Астров, В.~Б.~Шуман, Л.~М.~Порцель, А.~Н.~Лодыгин
\paper Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 428--431
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7551}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310762}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 413--416
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614030038}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7551
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p428
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025