Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 442–447 (Mi phts7554)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe$_2$

Р. М. Сардарлыa, О. А. Самедовa, Н. А. Алиеваa, А. П. Абдуллаевa, Э. К. Гусейновb, И. С. Гасановb, Ф. Т. Салмановa

a Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, AZ 1143 Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация: Исследованы кристаллы TlInSe$_2$ в постоянном и переменном электрическом поле в области температур 100–400 K. Обнаружено уменьшение электропроводности $\sigma$ со временем в постоянном поле. В диапазоне частот 10–10$^6$ Гц измерены спектры комплексного импеданса $Z^*(f)$. Анализ диаграмм в комплексной плоскости $(Z''-Z')$ проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано, что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства кристаллов TlInSe$_2$ определяются прыжковой проводимостью и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих платиновых электродов.
Поступила в редакцию: 26.06.2013
Принята в печать: 05.07.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 427–431
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040253
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Сардарлы, О. А. Самедов, Н. А. Алиева, А. П. Абдуллаев, Э. К. Гусейнов, И. С. Гасанов, Ф. Т. Салманов, “Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 442–447; Semiconductors, 48:4 (2014), 427–431
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SarSamAli14}
\by Р.~М.~Сардарлы, О.~А.~Самедов, Н.~А.~Алиева, А.~П.~Абдуллаев, Э.~К.~Гусейнов, И.~С.~Гасанов, Ф.~Т.~Салманов
\paper Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 442--447
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7554}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310765}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 427--431
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040253}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7554
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p442
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025