|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 442–447
(Mi phts7554)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe$_2$
Р. М. Сардарлыa, О. А. Самедовa, Н. А. Алиеваa, А. П. Абдуллаевa, Э. К. Гусейновb, И. С. Гасановb, Ф. Т. Салмановa a Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, AZ 1143 Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация:
Исследованы кристаллы TlInSe$_2$ в постоянном и переменном электрическом поле в области температур 100–400 K. Обнаружено уменьшение электропроводности $\sigma$ со временем в постоянном поле. В диапазоне частот 10–10$^6$ Гц измерены спектры комплексного импеданса $Z^*(f)$. Анализ диаграмм в комплексной плоскости $(Z''-Z')$ проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано, что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства кристаллов TlInSe$_2$ определяются прыжковой проводимостью и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих платиновых электродов.
Поступила в редакцию: 26.06.2013 Принята в печать: 05.07.2013
Образец цитирования:
Р. М. Сардарлы, О. А. Самедов, Н. А. Алиева, А. П. Абдуллаев, Э. К. Гусейнов, И. С. Гасанов, Ф. Т. Салманов, “Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 442–447; Semiconductors, 48:4 (2014), 427–431
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7554 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p442
|
|