Расчет подвижности электронов для $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия

На основе анизотропного рассеяния при 77 K получены концентрационные зависимости подвижности носителей заряда для $\Delta_1$-модели зоны проводимости кристаллов $n$-Ge. Показано, что инверсия типа абсолютного минимума $L_1$–$\Delta_1$, обусловленная одноосным давлением кристаллов $n$-Ge вдоль кристаллографического направления [100], существенно уменьшает величину подвижности носителей заряда. Это объясняется уменьшением времени релаксации, поскольку эффективные массы для электронов разных минимумов мало различаются. Для других двух случаев инверсии абсолютного минимума $L_1$–$\Delta_1$, при гидростатическом и одноосном давлении вдоль кристаллографического направления [110], уменьшение подвижности электронов обусловлено в основном увеличением эффективной массы. Показано также, что на эффективность рассеяния носителей заряда в анизотропных полупроводниках в данном случае существенно влияет степень анизотропии эффективных масс.