Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 458–461 (Mi phts7557)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Излучение света кристаллами двуокиси олова

В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов

Санкт-Петербургский государственный университет, 108504 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследованы спектры люминесценции кристаллов SnO$_2$ в интервале температур 5–40 K. Широкие полосы люминесценции в видимой области спектра интерпретированы как переходы с донорных уровней вакансий кислорода и межузельных атомов олова на акцепторные уровни собственных дефектов другого типа, которыми, видимо, являются вакансии олова и межузельные атомы кислорода. Обнаружено, что излучение одного из комплексов экситон-дефект, имеющего минимальную энергию связи, усиливается при нагревании кристалла от 5 до 30 K. Отличительной особенностью этого комплекса является аномально слабая связь с колебаниями кристаллической решетки.
Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 442–445
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Излучение света кристаллами двуокиси олова”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 458–461; Semiconductors, 48:4 (2014), 442–445
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeSerFil14}
\by В.~Ф.~Агекян, А.~Ю.~Серов, Н.~Г.~Философов
\paper Излучение света кристаллами двуокиси олова
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 458--461
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7557}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310768}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 442--445
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7557
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p458
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025