|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 458–461
(Mi phts7557)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Излучение света кристаллами двуокиси олова
В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов Санкт-Петербургский государственный университет, 108504 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследованы спектры люминесценции кристаллов SnO$_2$ в интервале температур 5–40 K. Широкие полосы люминесценции в видимой области спектра интерпретированы как переходы с донорных уровней вакансий кислорода и межузельных атомов олова на акцепторные уровни собственных дефектов другого типа, которыми, видимо, являются вакансии олова и межузельные атомы кислорода. Обнаружено, что излучение одного из комплексов экситон-дефект, имеющего минимальную энергию связи, усиливается при нагревании кристалла от 5 до 30 K. Отличительной особенностью этого комплекса является аномально слабая связь с колебаниями кристаллической решетки.
Поступила в редакцию: 17.07.2013 Принята в печать: 19.08.2013
Образец цитирования:
В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Излучение света кристаллами двуокиси олова”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 458–461; Semiconductors, 48:4 (2014), 442–445
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7557 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p458
|
|