Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами

Рассмотрено влияние облучения ускоренными атомарными P и молекулярными PF$_4$ ионами с энергией 0.6 кэВ/аем на кристаллическую структуру и оптические свойства монокристаллических пленок GaN. Показано, что облучение малыми кластерами приводит: 1) к более быстрому накоплению структурных дефектов; 2) более сильному подавлению фиолетовой полосы и 3) к меньшим временам затухания ее интенсивности по сравнению с облучением атомарными ионами.