Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 467–470 (Mi phts7559)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$

К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Аннотация: Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Вид полученных спектральных зависимостей поглощения и пропускания в инфракрасной области характерен для локального поверхностного плазмонного резонанса. Согласно оценкам, концентрация свободных носителей заряда в In$_2$O$_3$(Sn) достигает 10$^{19}$ см$^{-3}$. Температурные зависимости фотопроводимости в диапазоне 77–300 K для наноструктурированных пленок на основе нанокристаллов In$_2$O$_3$(Sn) указывают на прыжковый механизм проводимости. Обсуждаются механизмы, ответственные за появление эффекта.
Поступила в редакцию: 18.06.2013
Принята в печать: 05.07.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 451–454
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040083
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 467–470; Semiconductors, 48:4 (2014), 451–454
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroKryVas14}
\by К.~А.~Дроздов, И.~В.~Крылов, Р.~Б.~Васильев, А.~А.~Ирхина, М.~Н.~Румянцева, А.~М.~Гаськов, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 467--470
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7559}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310770}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 451--454
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040083}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7559
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p467
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025