|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 467–470
(Mi phts7559)
|
|
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Вид полученных спектральных зависимостей поглощения и пропускания в инфракрасной области характерен для локального поверхностного плазмонного резонанса. Согласно оценкам, концентрация свободных носителей заряда в In$_2$O$_3$(Sn) достигает 10$^{19}$ см$^{-3}$. Температурные зависимости фотопроводимости в диапазоне 77–300 K для наноструктурированных пленок на основе нанокристаллов In$_2$O$_3$(Sn) указывают на прыжковый механизм проводимости. Обсуждаются механизмы, ответственные за появление эффекта.
Поступила в редакцию: 18.06.2013 Принята в печать: 05.07.2013
Образец цитирования:
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 467–470; Semiconductors, 48:4 (2014), 451–454
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7559 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p467
|
|