Гетеропереходы собственный окисел $p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства

Предложена новая безвакуумная технология и впервые получены анизотипные фоточувствительные гетеропереходы собственный окисел одного из узкозонных полупроводников А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ – бинарного соединения $p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb. В основу развитого технологического процесса положено приповерхностное термическое взаимодействие кристалла GaSb c компонентами нормальной воздушной атмосферы земного шара. На основании проведенных в работе оригинальных физико-технологических исследований взаимодействия в системе GaSb/(воздушная среда земного шара) установлено, что полученные таким образом пленки собственного окисла $p$-GaSb(Ox) проявляют высокую адгезию по отношению к поверхности исходного антимонида галлия $n$-GaSb. В представленной работе впервые выполнены измерения стационарных вольтамперных характеристик и спектральных зависимостей относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетеропереходов $p$-GаSb(Ox)/$n$-GaSb, на основании которых обсуждаются закономерности токопереноса и фоточувствительности. В выполненной работе впервые обнаружена и реализована новая возможность применения процесса безвакуумного термического окисления пленок GaSb при создании фотодетекторов оптического излучения на подложках из гомогенных кристаллов антимонида галлия $n$-GaSb.