Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе GaInP с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения

Проведены исследования зонной структуры и свойств границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур GaInP/AlInP. Продемонстрирован эффект изменения зонной структуры на границе раздела $p$-AlInP, широкозонное окно $p$-GaInP, эмиттер, под воздействием излучения, приводящий к ситуации, когда спектральные характеристики солнечных элементов на основе GaInP зависят от интенсивности излучения. Разработана новая методика по оценке величин времени жизни неосновных носителей заряда в слое $p$-GaInP эмиттера и плотности поверхностных состояний на границе раздела широкозонное окно/эмиттер ($p$-AlInP/$p$-GaInP) на основе обнаруженного эффекта. Показано, что плотность поверхностных состояний на границе $p$-AlInP/$p$-GaInP находится в диапазоне 10$^9$–10$^{11}$ см$^{-2}$эВ$^{-1}$.