Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 487–491 (Mi phts7563)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Композитные материалы на основе наноструктурированного оксида цинка

Х. А. Абдуллинa, Н. Б. Бакрановb, Д. В. Исмаиловa, Ж. К. Калкозоваa, С. Е. Кумековb, Л. В. Подрезоваb, G. Ciceroc

a Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби, 050000 Алматы, Казахстан
b Казахский национальный технический университет им. К. И. Сатпаева, 050013 Алматы, Казахстан
c Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, 10129 Turin, Italy
PDF полного текста (2449 kB) Список цитирования (12) Английская версия
Аннотация: Композиты из наностержней ZnO/наночастиц CuO и наностержней ZnO/наночастиц Ag были получены путем осаждения наночастиц CuO и Ag на массивы наностержней ZnO, выращенных гидротермальным методом. Синтез наночастиц CuO осуществлялся посредством вакуумного термического напыления слоя меди с последующим отжигом в вакууме при температуре 350$^\circ$C в течение 1 ч. Получены частицы CuO, покрытые слоем наноиголок. Вольт-амперные характеристики слоев ZnO/CuO демонстрируют наличие $p$–$n$-перехода. Композиты ZnO/Ag получены электроосаждением наночастиц Ag, синтезированных в водном растворе нитрата серебра и цитрата натрия. Изучены морфология поверхности, оптические и электрические свойства полученных образцов.
Поступила в редакцию: 20.06.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 471–475
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Х. А. Абдуллин, Н. Б. Бакранов, Д. В. Исмаилов, Ж. К. Калкозова, С. Е. Кумеков, Л. В. Подрезова, G. Cicero, “Композитные материалы на основе наноструктурированного оксида цинка”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 487–491; Semiconductors, 48:4 (2014), 471–475
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbdBakIsm14}
\by Х.~А.~Абдуллин, Н.~Б.~Бакранов, Д.~В.~Исмаилов, Ж.~К.~Калкозова, С.~Е.~Кумеков, Л.~В.~Подрезова, G.~Cicero
\paper Композитные материалы на основе наноструктурированного оксида цинка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 487--491
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7563}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310774}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 471--475
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040022}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7563
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p487
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026