Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 492–497 (Mi phts7564)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии

С. М. Пещерова, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, И. А. Елисеев, Р. В. Пресняков

Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, 664033 Иркутск, Россия
Аннотация: Проведены исследования структуры мультикристаллического кремния и распределения времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности и в объеме образцов. Выявлены закономерные зависимости электрофизических характеристик от строения зерен и межзеренных границ. Изучены межзеренные границы в мультикремнии, выращенном методом Бриджмена–Стокбаргера из расплава металлургического рафинированного кремния. Полученные с помощью металлографии и микроскопии описания границ зерен могут учитываться при подборе условий кристаллизации, при которых возможно получение мультикремния с совершенной структурой как материала для солнечных преобразователей.
Поступила в редакцию: 28.03.2013
Принята в печать: 20.09.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 476–480
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040228
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Пещерова, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, И. А. Елисеев, Р. В. Пресняков, “Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 492–497; Semiconductors, 48:4 (2014), 476–480
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PesNepPav14}
\by С.~М.~Пещерова, А.~И.~Непомнящих, Л.~А.~Павлова, И.~А.~Елисеев, Р.~В.~Пресняков
\paper Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 492--497
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7564}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310775}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 476--480
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040228}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7564
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p492
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026