|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 492–497
(Mi phts7564)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии
С. М. Пещерова, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, И. А. Елисеев, Р. В. Пресняков Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, 664033 Иркутск, Россия
Аннотация:
Проведены исследования структуры мультикристаллического кремния и распределения времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности и в объеме образцов. Выявлены закономерные зависимости электрофизических характеристик от строения зерен и межзеренных границ. Изучены межзеренные границы в мультикремнии, выращенном методом Бриджмена–Стокбаргера из расплава металлургического рафинированного кремния. Полученные с помощью металлографии и микроскопии описания границ зерен могут учитываться при подборе условий кристаллизации, при которых возможно получение мультикремния с совершенной структурой как материала для солнечных преобразователей.
Поступила в редакцию: 28.03.2013 Принята в печать: 20.09.2013
Образец цитирования:
С. М. Пещерова, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, И. А. Елисеев, Р. В. Пресняков, “Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 492–497; Semiconductors, 48:4 (2014), 476–480
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7564 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p492
|
|