Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si

Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при $T$ = 450$^\circ$С в течение 10 мин в вакууме $\sim$ 10$^{-6}$ Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd–$n^+$-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с $n^+$-Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами, подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления $\rho_c(T)$. Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости $\rho_c$, составляет $\sim$ 5 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$ и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.