Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 535–538 (Mi phts7572)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении

А. А. Шемухинa, Ю. В. Балакшинab, В. С. Чернышab, С. А. Голубковc, Н. Н. Егоровc, А. И. Сидоровc

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, 119991 Москва, Россия
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
c Научно-исследовательский институт материаловедения, 124460 Москва, Зеленоград, Россия
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si$^+$ на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой.
Поступила в редакцию: 04.06.2013
Принята в печать: 19.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 517–520
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040265
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, “Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 535–538; Semiconductors, 48:4 (2014), 517–520
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SheBalChe14}
\by А.~А.~Шемухин, Ю.~В.~Балакшин, В.~С.~Черныш, С.~А.~Голубков, Н.~Н.~Егоров, А.~И.~Сидоров
\paper Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 535--538
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7572}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310783}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 517--520
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040265}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7572
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p535
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025