Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 556–563 (Mi phts7575)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц

А. А. Лотинa, О. А. Новодворскийa, В. В. Рыльковb, Д. А. Зуевa, О. Д. Храмоваa, М. А. Панковb, Б. А. Аронзонbc, А. С. Семисаловаcd, Н. С. Перовd, A. Lashkulc, E. Lahderantac, В. Я. Панченкоabd

a Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 140700 Шатура, Московская область, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
c Lappeenranta University of Technology, Box 20, Lappeenranta 53851, Finland
d Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
Аннотация: Изучены структурные, оптические, магнитные и транспортные свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O ($x$ = 0.05–0.45) толщиной $d$ = 60–300 нм, полученных на подложках Al$_2$O$_3$ (0001) при температуре $T_s$ = 500$^\circ$C методом импульсного лазерного осаждения с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости. Показано, что тройной твердый раствор Zn$_{1-x}$Co$_x$O сохраняет кристаллическую структуру типа вюрцита вплоть до $x$ = 0.35 при получении пленок в условиях низкого давления буферного кислорода ($\sim$10$^{-6}$ Торр). Установлено, что в этих условиях концентрация электронов превышает 10$^{20}$ см$^{-3}$ из-за высокой плотности донорных вакансий кислорода. При этом в пленках начинает проявляться ферромагнетизм в намагниченности и аномальном эффекте Холла при температурах выше 100 K. Знак аномального эффекта Холла в пленках оказался положительным и противоположным знаку нормального эффекта Холла, так же как в металлических слоях Co, что указывает на кластерную природу ферромагнетизма пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O. В тонких слоях Zn$_{1-x}$Co$_x$O ($d$ = 60 нм, $x$ = 0.2) в поперечном магнитном поле выявлен сильный гистерезис в магнетосопротивлении, свидетельствующий о перпендикулярной магнитной анизотропии пленок. Такая анизотропия объясняется структурированностью слоев (“вытянутостью” магнитных кластеров вдоль оси роста пленок), которая может приводить к заметному усилению ферромагнетизма.
Поступила в редакцию: 21.03.2013
Принята в печать: 20.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 538–544
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040186
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лотин, О. А. Новодворский, В. В. Рыльков, Д. А. Зуев, О. Д. Храмова, М. А. Панков, Б. А. Аронзон, А. С. Семисалова, Н. С. Перов, A. Lashkul, E. Lahderanta, В. Я. Панченко, “Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 556–563; Semiconductors, 48:4 (2014), 538–544
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LotNovRyl14}
\by А.~А.~Лотин, О.~А.~Новодворский, В.~В.~Рыльков, Д.~А.~Зуев, О.~Д.~Храмова, М.~А.~Панков, Б.~А.~Аронзон, А.~С.~Семисалова, Н.~С.~Перов, A.~Lashkul, E.~Lahderanta, В.~Я.~Панченко
\paper Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 556--563
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7575}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310786}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 538--544
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7575
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p556
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025