Влияние температурного отжига на качество слоистых монокристаллов InSe и характеристики гетеропереходов $n$-InSe–$p$-InSe

Исследовано влияние низкотемпературного отжига исходных монокристаллов InSe $n$- и $p$-типа проводимости на фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-InSe–$p$-InSe. Найдено, что максимальное улучшение фотоэлектрических параметров гетеропереходов $n$-InSe–$p$-InSe наблюдается при температурах отжига 150–200$^\circ$C. Повышение качества монокристаллических образцов после отжига подтверждается мультиплетностью спектров ядерного квадрупольного резонанса, которые отражают упорядочение в системе политипов слоистой структуры InSe. Для отожженных материалов структура $n$-InSe–$p$-InSe характеризовалась увеличением интенсивности экситонного пика, ростом напряжения холостого хода с 0.29 до 0.56 В и тока короткого замыкания с 350 до 840 мкА/см$^2$.