Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 570–575 (Mi phts7577)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства

А. С. Леньшинa, П. В. Серединa, Д. А. Минаковa, В. М. Кашкаровa, Б. Л. Агаповa, Э. П. Домашевскаяa, И. Е. Кононоваb, В. А. Мошниковb, Н. С. Теребоваc, И. Н. Шабановаc

a Воронежский государственный университет, 394000 Воронеж, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт Уральского отделения РАН, 426000 Ижевск, Россия
PDF полного текста (3065 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Проведены исследования состава и оптических свойств композитов на основе пористого кремния с осажденными золь–гель методом железом, кобальтом и никелем. Показано, что осаждение металлооксидных пленок на поверхность пористого кремния способствует повышению интенсивности и стабилизации фотолюминесценции, а также сохранению водорода в пористом слое.
Поступила в редакцию: 01.04.2013
Принята в печать: 08.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 4, Pages 551–555
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614040174
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, И. Е. Кононова, В. А. Мошников, Н. С. Теребова, И. Н. Шабанова, “Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 570–575; Semiconductors, 48:4 (2014), 551–555
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LenSerMin14}
\by А.~С.~Леньшин, П.~В.~Середин, Д.~А.~Минаков, В.~М.~Кашкаров, Б.~Л.~Агапов, Э.~П.~Домашевская, И.~Е.~Кононова, В.~А.~Мошников, Н.~С.~Теребова, И.~Н.~Шабанова
\paper Особенности формирования золь--гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 570--575
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7577}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310788}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 4
\pages 551--555
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614040174}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7577
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i4/p570
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025