Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 582–589 (Mi phts7579)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур

Ю. В. Шалдинa, S. Matyjasikb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, 119333 Москва, Россия
b International Laboratory High Magnetic Fields and Low Temperatures, 53-421 Wroclaw, Poland
Аннотация: На нестехиометричных кристаллах CdS $n$-типа, выращенных из газовой фазы в атмосфере аргона при $T$ = 1450 K, проведены комплексные исследования спонтанной поляризации, термостимулированных проводимости и деполяризации в интервале от 4.2 до 300 K. Объектом исследований служили исходные образцы и образцы, поляризованные слабым электрическим полем при $T$ = 4.2 K. Поляризация образца приводит к уменьшению проводимости $\sigma_{33}$ вследствие перестройки всего энергетического спектра уровней, связанного с образованием донорно-акцепторных пар. Процессы образования донорно-акцепторных пар вносят свои вклады и в температурные зависимости спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта, характеризуемые возникновением аномалий ниже 15 K и образованием термоэлектрета. Обсуждается роль неконтролируемой примеси кислорода в возникновении катионной проводимости CdS свыше 270 K, связанной с распадом части донорно-акцепторных пар. В области температур от 20 до 250 K величины пирокоэффициента и спонтанной поляризации в пределах ошибки эксперимента не зависят от внешних воздействий и при $T$ = 200 K равны: $\Delta P_s$ = -(6.1 $\pm$ 0.2) $\cdot$ 10$^{-4}$ C/m$^2$, $\gamma_s$ = -(4.1 $\pm$ 0.3) $\cdot$ 10$^{-5}$ C/m$^2$ K.
Поступила в редакцию: 04.07.2013
Принята в печать: 20.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 562–569
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614050194
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. В. Шалдин, S. Matyjasik, “Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 582–589; Semiconductors, 48:5 (2014), 562–569
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaMat14}
\by Ю.~В.~Шалдин, S.~Matyjasik
\paper Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 582--589
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7579}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018830}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 562--569
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614050194}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7579
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p582
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025