Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

Исследованы различные отрицательные фотоэффекты в пленках твердых растворов соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$, осажденных из раствора, в зависимости от режима осаждения и термической обработки. Установлен единый электронно-молекулярный механизм впервые обнаруженного в пленках Cd$_{1-x}$Zn$_x$S и CdS$_{1-x}$Se$_x$ отрицательного фотоемкостного эффекта и отрицательных медленно релаксирующих фотоэффектов, обусловленных переходом электронов, находящихся в наноразмерном приповерхностном слое, с мелких энергетических уровней центров прилипания на более глубокие с меньшей поляризуемостью и наличием в этих материалах наноразмерных кластеров, играющих роль “резервуара” для неосновных носителей заряда. Предложена модель, позволяющая объяснить основные закономерности отрицательной фотопроводимости в пленках Cd$_{1-x}$Zn$_x$S и Cd$_{1-x}$Zn$_x$Sе, осажденных из раствора. Установлено, что отрицательная остаточная проводимость объясняется на основе двойного барьерного рельефа, отрицательная дифференциальная фотопроводимость обусловлена наличием наноразмерных электрических доменов.