Оптическое пропускание тонких пластин GaAs при лазерной накачке в область экситонных резонансов и континуума состояний: экситон-экситонное взаимодействие

Измерялись спектры пропускания (при температуре $T$ = 1.7 K) тонких пластин “чистого” объемного GaAs, выращенного методами молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии, при оптической накачке в полосу основного состояния серии экситона. Обнаружено возрастание амплитуды и ширины линии при накачке без заметных изменений спектрального положения максимума линии, подобное наблюдавшемуся при накачке в континуум, но с несколько меньшим темпом возрастания. Оценка концентрации экситонов, рождаемых в результате накачки, позволяет определить константу экситон-экситонного взаимодействия и сравнить с известными данными. Применение метода интегрального поглощения позволяет также уточнить константы взаимодействия экситонного поляритона со свободными носителями заряда и с примесью. Измерено дифференциальное фотопоглощение образцов на частоте модуляции подсветки. Полученные спектры модуляционного поглощения показывают связь индуцированного поглощения с образованием дифференциальных спектров.