Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 610–615 (Mi phts7583)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Каналы прозрачности и вольт-амперная характеристика двухбарьерной наносистемы в постоянном электрическом и электромагнитном полях произвольной напряженности

Н. В. Ткач, Ю. А. Сети

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина
PDF полного текста (184 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: На основе найденного точного решения полного одномерного уравнения Шредингера предложена теория каналов прозрачности и вольт-амперной характеристики двухбарьерной резонансно-туннельной структуры в постоянном электрическом и высокочастотном электромагнитном полях произвольной напряженности. Впервые показано, что при увеличении напряженности электромагнитного поля из-за образования нерезонансных каналов прозрачности наносистемы форма ее вольт-амперной характеристики изменяется от одногорбой до двухгорбой кривой не только в окрестностях электронных резонансных энергий, но и в областях энергий, соответствующих суперпозиции пар полевых сателлитных состояний.
Поступила в редакцию: 26.11.2012
Принята в печать: 03.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 590–595
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614050236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, “Каналы прозрачности и вольт-амперная характеристика двухбарьерной наносистемы в постоянном электрическом и электромагнитном полях произвольной напряженности”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 610–615; Semiconductors, 48:5 (2014), 590–595
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TkaSet14}
\by Н.~В.~Ткач, Ю.~А.~Сети
\paper Каналы прозрачности и вольт-амперная характеристика двухбарьерной наносистемы в постоянном электрическом и электромагнитном полях произвольной напряженности
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 610--615
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7583}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018835}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 590--595
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614050236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7583
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p610
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025