Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 621–630 (Mi phts7585)  

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины

В. В. Зуевa, С. Н. Григорьевb, Р. И. Романовa, В. Ю. Фоминскийa, В. В. Григорьевa

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
b Московский государственный технологический университет "Станкин", 127994 Москва, Россия
Аннотация: Приведены результаты сравнительного исследования электрофизических свойств газосенсорных полупроводниковых структур, полученных импульсным лазерным осаждением платины, ионной имплантацией платины, а также комбинированным методом имплантации и осаждения платины на подложку $n$-6H-SiC. Двухслойные структуры показали более сильный отклик на газообразный водород при более выраженном диодном характере вольт-амперных характеристик для высоких температур $\sim$ 500$^\circ$C, чем однослойные ионно-имплантированные структуры. Кроме того, двухслойные структуры обладали большей воспроизводимостью параметров вольт-амперных характеристик при термоциклировании в водородосодержащей среде, чем обычные тонкопленочные структуры на подложке SiC. Исследованы химическое состояние ионно-имплантированной платины и структура тонкопленочных слоев после длительных испытаний в осложненных условиях. Рассмотрены возможные механизмы влияния платины на токопрохождение в ионно-имплантированном слое и его зависимость от состава окружающей газовой среды.
Поступила в редакцию: 23.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 602–611
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261405025X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Зуев, С. Н. Григорьев, Р. И. Романов, В. Ю. Фоминский, В. В. Григорьев, “Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6H-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 621–630; Semiconductors, 48:5 (2014), 602–611
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZueGriRom14}
\by В.~В.~Зуев, С.~Н.~Григорьев, Р.~И.~Романов, В.~Ю.~Фоминский, В.~В.~Григорьев
\paper Об особенностях детектирования водорода полупроводниковой структурой, полученной на подложке 6\emph{H}-SiC комбинированным методом ионной имплантации и осаждения платины
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 621--630
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7585}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018837}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 602--611
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261405025X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7585
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p621
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025