Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 631–635 (Mi phts7586)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов

Е. Л. Панкратовa, О. П. Гуськоваb, М. Н. Дроздовc, Н. Д. Абросимоваb, В. М. Воротынцевd

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
d Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (161 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследован профиль распределения германия в структуре Si/SiO$_2$/Si после имплантации $^{74}$Ge в диэлектрический слой SiO$_2$, сращивания с приборным слоем Si и высокотемпературного отжига. Обнаружены аномально высокий перенос и накопление атомов $^{74}$Ge у границы SiO$_2$/Si, удаленной от границы сращивания. Наблюдаемое распределение $^{74}$Ge не укладывается в рамки существующей модели диффузии Ge в Si и SiO$_2$ при постимплантационном отжиге. Предложена модифицированная модель диффузии атомов Ge вблизи границ Si/SiO$_2$, качественно объясняющая наблюдаемые особенности.
Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 20.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 612–616
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614050170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Л. Панкратов, О. П. Гуськова, М. Н. Дроздов, Н. Д. Абросимова, В. М. Воротынцев, “Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 631–635; Semiconductors, 48:5 (2014), 612–616
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PanGusDro14}
\by Е.~Л.~Панкратов, О.~П.~Гуськова, М.~Н.~Дроздов, Н.~Д.~Абросимова, В.~М.~Воротынцев
\paper Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 631--635
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7586}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018838}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 612--616
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614050170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7586
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p631
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025