Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 639–642 (Mi phts7588)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом

Р. В. Конаковаa, А. Ф. Коломысa, О. Б. Охрименкоa, В. В. Стрельчукa, А. М. Светличныйb, М. Н. Григорьевb, Б. Г. Коноплевb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
b Таганрогский технологический институт Южного федерального университета, 347928 Таганрог, Россия
PDF полного текста (153 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Методом комбинационного рассеяния света исследовано влияние лазерного излучения на характеристики пленок аморфного кремния на стеклянной и кварцевой подложках. Выявлено, что увеличение мощности лазерной обработки приводит к фазовому переходу от аморфного кремния к нано-Si. Изменение соотношения доли нанокристаллического и аморфного кремния в пленке описывается в рамках модели критического воздействия.
Поступила в редакцию: 12.08.2013
Принята в печать: 26.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 621–624
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614050108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Конакова, А. Ф. Коломыс, О. Б. Охрименко, В. В. Стрельчук, А. М. Светличный, М. Н. Григорьев, Б. Г. Коноплев, “Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 639–642; Semiconductors, 48:5 (2014), 621–624
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonKolOkh14}
\by Р.~В.~Конакова, А.~Ф.~Коломыс, О.~Б.~Охрименко, В.~В.~Стрельчук, А.~М.~Светличный, М.~Н.~Григорьев, Б.~Г.~Коноплев
\paper Особенности спектров комбинационного рассеяния света структур кварц/Si и стекло/Si, обусловленные лазерным отжигом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 639--642
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7588}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018840}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 621--624
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614050108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7588
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p639
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025