Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур $n$-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции

Исследовано инфракрасное излучение горячими электронами в гетероструктурах $n$-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в латеральном электрическом поле при наличии инжекции носителей из токовых контактов. В структурах с двойными туннельно-связанными ямами, одна из которых является дельта легированной, при появлении инжекции носителей обнаружено сильное увеличение интенсивности дальнего инфракрасного излучения. В то же время в структурах с одиночными КЯ, легированными в ямы или в барьер, такой эффект отсутствовал. Наблюдаемое увеличение связывается с прямыми межподзонными переходами электронов, которые дают вклад в излучение при пространственном переходе носителей между ямами. Интенсивность такого перехода возрастает из-за компенсации инжектируемыми дырками существующего между ямами объемного заряда.