Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 648–653 (Mi phts7590)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром

В. М. Грабовa, Е. В. Демидовa, В. А. Комаровa, Д. Ю. Матвеевa, А. А. Николаеваb, Д. С. Маркушевa, Е. В. Константиновa, Е. Е. Константиноваa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
b Институт электронной инженерии и нанотехнологий имени Д.В. Гицу Академии наук Молдовы, MD 2028 Кишинев, Республика Молдова
PDF полного текста (203 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования гальваномагнитных явлений в монокристаллических и блочных пленках висмута, легированного теллуром, в интервале температур 77–300 K, в диапазоне толщин пленок 0.1–1 мкм. Показано, что в исследованных пленках концентрация носителей заряда не зависит от толщины, рассеяние носителей заряда осуществляется на фононах, поверхности пленок, дефектах структуры и границах кристаллитов. Величины и соотношение перечисленных вкладов в ограничение подвижности носителей заряда зависит от содержания теллура, толщины пленки, а также их монокристаллического или блочного состояния.
Поступила в редакцию: 05.09.2013
Принята в печать: 12.09.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 630–635
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261405008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров, Д. Ю. Матвеев, А. А. Николаева, Д. С. Маркушев, Е. В. Константинов, Е. Е. Константинова, “Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 648–653; Semiconductors, 48:5 (2014), 630–635
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraDemKom14}
\by В.~М.~Грабов, Е.~В.~Демидов, В.~А.~Комаров, Д.~Ю.~Матвеев, А.~А.~Николаева, Д.~С.~Маркушев, Е.~В.~Константинов, Е.~Е.~Константинова
\paper Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 648--653
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7590}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018842}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 630--635
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261405008X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7590
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p648
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025