|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 667–670
(Mi phts7593)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Полупроводниковое поведение нанокристаллического углерода
С. К. Брантов Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, 142432 Черноголовка Московской области, Россия
Аннотация:
Исследование характеристик нанокристаллических пленок углерода, полученных осаждением из пара при пиролизе метана в электрическом поле на подложках из монокристаллического кремния, показало наличие обратимого перехода из полуметаллического в полупроводниковое состояние начиная с температуры 560$^\circ$C. Полученный материал содержит значительное количество тетраэдрических нанокластеров в матрице пиролитического углерода. Массовая плотность материала превышает 2.7 г/cм$^3$. Основной причиной многократного увеличения проводимости композита при нагреве является переход кластеров в область собственной проводимости. Оценка энергии термоактивации проводимости композита дает значение 0.78 эВ.
Поступила в редакцию: 12.08.2013 Принята в печать: 23.09.2013
Образец цитирования:
С. К. Брантов, “Полупроводниковое поведение нанокристаллического углерода”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 667–670; Semiconductors, 48:5 (2014), 649–652
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7593 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p667
|
|