Температурная селективность радиационного воздействия на кремниевые МОП-транзисторы

С использованием методики подпороговых токов МОП-транзисторов в интервале температур (290–450) K исследовано влияние температурных режимов рентгеновского облучения на кинетику изменения параметров $U_{\mathrm{th}}$ и $D_{\mathrm{it}}$ кремниевых МОП-транзисторов с длиной канала 2–10 мкм. Установлено, что по исследуемым параметрам при температурах облучения выше 360 K (температура низкотемпературного максимума в спектре ТСД транзистора) наблюдается снижение радиационной чувствительности транзисторов, которая достигает своего максимального значения в области 430 K (соответствует высокотемпературному максимуму). Полученные результаты интерпретируются с позиции модели существования двух типов ловушек для носителей заряда и перераспределения под действием облучения электрическиактивных ионов Na$^+$, K$^+$, Li$^+$ и H$^+$ между ними, а также эффекта частичной нейтрализации зарядов на межфазной границе.