Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 684–692 (Mi phts7596)  
Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

В. М. Лукашинa, А. Б. Пашковскийa, К. С. Журавлевb, А. И. Тороповb, В. Г. Лапинa, Е. И. Голантa, А. А. Капраловаa

a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", 141195 Фрязино, Московская область, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (341 kB) Список цитирования (26)
Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами на основе слоев с разными типами легирования, оптимизированными для уменьшения поперечного пространственного переноса электронов и увеличения эффекта размерного квантования. Транзисторы продемонстрировали рост выходной мощности в 2 раза при длине трапециевидного затвора 0.4 – 0.5 мкм и общей ширине затвора транзистора 0.8 мм на частоте 10 ГГц в непрерывном режиме работы. При этом коэффициент усиления превысил 9.5 дБ при удельной выходной мощности более 1.6 Вт/мм и величине кпд по добавленной мощности до 50%. Проведена оценка перспектив развития данного типа приборов.
Поступила в редакцию: 16.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 666–674
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614050121
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 684–692; Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukPasZhu14}
\by В.~М.~Лукашин, А.~Б.~Пашковский, К.~С.~Журавлев, А.~И.~Торопов, В.~Г.~Лапин, Е.~И.~Голант, А.~А.~Капралова
\paper Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 684--692
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7596}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018848}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 666--674
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614050121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7596
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p684
    • Эта публикация цитируется в следующих 26 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025