Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 5, страницы 693–701 (Mi phts7597)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов

А. В. Саченкоa, В. П. Костылевa, Н. Р. Кулишa, И. О. Соколовскийa, А. И. Шкребтийb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b University of Ontario, Institute of Technology, Faculty of Science, L1H7K4 Ontario, Canada
Аннотация: При расчете эффективности $\eta$ многопереходных солнечных элементов (МПСЭ) учтены излучательная рекомбинация, рекомбинация Шокли–Рида, поверхностная рекомбинация на фронтальной и тыльной поверхностях, рекомбинация в областях пространственного заряда, а также рекомбинация на границах гетеропереходов. Расчет выполнен путем самосогласованного решения уравнений для фототока и фотонапряжения, а также для теплового баланса. Учтено охлаждение МПСЭ по мере увеличения числа ячеек $n$ и улучшения условий теплоотвода. Рассмотрен эффект, приводящий к уменьшению фототока по мере увеличения $n$, связанный с сужением интервалов энергий фотонов, падающих на ячейку МПСЭ. Установлено, что существенное увеличение эффективности МПСЭ может быть достигнуто за счет улучшения условий теплоотвода, в частности, при использовании радиаторов и за счет приближения коэффициента серости МПСЭ к единице. Проведено сравнение полученных в работе результатов с результатами, приведенными в работах других авторов. Показано, что расчетные зависимости $\eta(n)$ согласуются со значениями, полученными экспериментально.
Поступила в редакцию: 28.05.2013
Принята в печать: 20.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 5, Pages 675–682
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614050182
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Саченко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, А. И. Шкребтий, “Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 693–701; Semiconductors, 48:5 (2014), 675–682
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SacKosKul14}
\by А.~В.~Саченко, В.~П.~Костылев, Н.~Р.~Кулиш, И.~О.~Соколовский, А.~И.~Шкребтий
\paper Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 693--701
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7597}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018849}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 5
\pages 675--682
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614050182}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7597
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i5/p693
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025