Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 731–735 (Mi phts7604)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением

И. В. Миргородскийa, Л. А. Голованьa, В. Ю. Тимошенкоa, А. В. Семеновb, В. М. Пузиковb

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт монокристаллов НАН Украины, 61001 Харьков, Украина
Аннотация: Нанокомпозитные пленки, содержащие нанокристаллы кремния и карбида кремния, были изготовлены методом прямого ионного осаждения на кремниевые подложки. Полученные пленки были исследованы методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружено, что изучаемые образцы обладают двумя полосами фотолюминесценции – в “красной” и ближней инфракрасной (600–1000 нм) и “синей” областях (400–550 нм), которые объясняются соответственно излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах и излучательными переходами между уровнями локальных центров (дефектов) на поверхности кремниевых нанокристаллов и в окружающей матрице. Кратковременная выдержка пленок в растворе на основе плавиковой кислоты приводила к модификации спектра излучения и возрастанию интенсивности экситонной полосы вследствие пассивации дефектов на поверхности кремниевых нанокристаллов.
Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 711–714
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Миргородский, Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, А. В. Семенов, В. М. Пузиков, “Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 731–735; Semiconductors, 48:6 (2014), 711–714
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MirGolTim14}
\by И.~В.~Миргородский, Л.~А.~Головань, В.~Ю.~Тимошенко, А.~В.~Семенов, В.~М.~Пузиков
\paper Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 731--735
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7604}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018856}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 711--714
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7604
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p731
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025