|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 731–735
(Mi phts7604)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением
И. В. Миргородскийa, Л. А. Голованьa, В. Ю. Тимошенкоa, А. В. Семеновb, В. М. Пузиковb a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт монокристаллов НАН Украины, 61001 Харьков, Украина
Аннотация:
Нанокомпозитные пленки, содержащие нанокристаллы кремния и карбида кремния, были изготовлены методом прямого ионного осаждения на кремниевые подложки. Полученные пленки были исследованы методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружено, что изучаемые образцы обладают двумя полосами фотолюминесценции – в “красной” и ближней инфракрасной (600–1000 нм) и “синей” областях (400–550 нм), которые объясняются соответственно излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах и излучательными переходами между уровнями локальных центров (дефектов) на поверхности кремниевых нанокристаллов и в окружающей матрице. Кратковременная выдержка пленок в растворе на основе плавиковой кислоты приводила к модификации спектра излучения и возрастанию интенсивности экситонной полосы вследствие пассивации дефектов на поверхности кремниевых нанокристаллов.
Поступила в редакцию: 17.07.2013 Принята в печать: 19.08.2013
Образец цитирования:
И. В. Миргородский, Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, А. В. Семенов, В. М. Пузиков, “Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 731–735; Semiconductors, 48:6 (2014), 711–714
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7604 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p731
|
|