Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 742–746 (Mi phts7606)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля

В. А. Макараa, Л. П. Стебленкоa, О. А. Коротченковa, А. Б. Надточийa, Д. В. Калиниченкоa, А. Н. Курилюкa, Ю. Л. Кобзарьa, А. Н. Критb, С. Н. Науменкоa

a Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, 01601 Киев, Украина
b Учебно-научный центр "Физико-химическое материаловедение" Киевского национального университета им. Тараса Шевченко и Национальной академии наук Украины, 01601 Киев, Украина
PDF полного текста (897 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Выявлено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.
Поступила в редакцию: 04.07.2013
Принята в печать: 23.09.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 722–726
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060189
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. А. Коротченков, А. Б. Надточий, Д. В. Калиниченко, А. Н. Курилюк, Ю. Л. Кобзарь, А. Н. Крит, С. Н. Науменко, “Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 742–746; Semiconductors, 48:6 (2014), 722–726
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakSteKor14}
\by В.~А.~Макара, Л.~П.~Стебленко, О.~А.~Коротченков, А.~Б.~Надточий, Д.~В.~Калиниченко, А.~Н.~Курилюк, Ю.~Л.~Кобзарь, А.~Н.~Крит, С.~Н.~Науменко
\paper Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 742--746
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7606}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018858}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 722--726
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060189}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7606
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p742
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025