Особенности низкотемпературной электро- и фотопроводимости твердых растворов CuInSe$_2$–ZnIn$_2$Se$_4$

Для выращивания монокристаллов твердых растворов CuInSe$_2$–ZnIn$_2$Se$_4$ $n$-типа проводимости использовался горизонтальный вариант метода Бриджмена. Слабая температурная зависимость электропроводимости, большая концентрация электронов и низкая фотопроводимость монокристаллов с небольшим содержанием (5–10 мол%) ZnIn$_2$Se$_4$ свидетельствуют об их состоянии, близком к вырожденному. Установлено, что в монокристаллах CuInSe$_2$–ZnIn$_2$Se$_4$ с содержанием 15 и 20 мол% ZnIn$_2$Se$_4$ при температурах $\sim$ 27–110 K доминирует прыжковый механизм проводимости. При $T\ge$ 110 K прыжковая проводимость переходит в активационную. Особенностью спектрального распределения низкотемпературной (27–77 K) фотопроводимости монокристаллов c $\sim$ 15 и $\sim$ 20 мол% ZnIn$_2$Se$_4$ оказалось наличие одного узкого максимума c $\lambda_{\mathrm{max}}$ = 1190–1160 нм.