Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 768–773 (Mi phts7621)  
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Магнитосопротивление в слоистых полупроводниках при рассеянии на ионах примеси в параллельном магнитном поле

Б. М. Аскеровa, С. Р. Фигароваa, Г. И. Гусейновb, В. Р. Фигаровc

a Бакинский государственный университет, Az-1148 Баку, Азербайджан
b Азербайджанский архитектурный и строительный университет, Az-1073 Баку, Азербайджан
c Институт физики национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
PDF полного текста (266 kB)
Аннотация: Выполнен расчет магнитосопротивления полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, направленном поперек оси сверхрешетки, при рассеянии носителей тока на ионах примеси. Показано, что знак поперечного магнитосопротивления существенно зависит от степени заполнения зоны, величины магнитного поля и соотношения между радиусом экранирования, радиусом циклотронной орбиты и постоянной сверхрешетки. В параллельном магнитном поле поперечное магнитосопротивление двумерного электронного газа положительно в сильном и отрицательно в слабом поле. Поперечное магнитосопротивление квазидвумерного электронного газа меняет свой знак из-за наличия в мини-зоне области с отрицательной эффективной массой.
Поступила в редакцию: 21.10.2013
Принята в печать: 28.10.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 748–753
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. М. Аскеров, С. Р. Фигарова, Г. И. Гусейнов, В. Р. Фигаров, “Магнитосопротивление в слоистых полупроводниках при рассеянии на ионах примеси в параллельном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 768–773; Semiconductors, 48:6 (2014), 748–753
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AskFigGus14}
\by Б.~М.~Аскеров, С.~Р.~Фигарова, Г.~И.~Гусейнов, В.~Р.~Фигаров
\paper Магнитосопротивление в слоистых полупроводниках при рассеянии на ионах примеси в параллельном магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 768--773
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7621}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018863}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 748--753
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7621
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p768
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025