Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 774–780 (Mi phts7622)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения

Н. Р. Григорьеваa, А. Ю. Егоровb, Д. А. Зайцевc, Е. В. Никитинаb, Р. П. Сейсянc

a Санкт-Петербургский государственный университет, 194034 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (489 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Оптические экситонные спектры чувствительны даже к весьма незначительным изменениям свойств материала. Особенно информативны спектры такой квазичастицы как экситонный поляритон, хотя их спектроскопия и накладывает ограничения по температуре измерений и качеству материала. Параметры экситона, такие как резонансная частота $\omega_T$ и коэффициент затухания $\Gamma$, могут меняться под действием электрического поля, наличия дефектов, изменения химического состава пленки. Если свойства материала изменяются по толщине пленки, то и резонансная частота, и коэффициент затухания тоже изменяются вдоль пространственной координаты $z$. Исследовались нелегированные слои GaAs при $T$ = 1.7 K, выращенные эпитаксиально на подложке из GaAs. По спектрам экситонного края поглощения выполнены оценки глубин “мертвых” слоев, электрических полей и концентрации примесей.
Поступила в редакцию: 15.10.2013
Принята в печать: 01.11.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 754–759
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060128
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Р. Григорьева, А. Ю. Егоров, Д. А. Зайцев, Е. В. Никитина, Р. П. Сейсян, “Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 774–780; Semiconductors, 48:6 (2014), 754–759
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriEgoZai14}
\by Н.~Р.~Григорьева, А.~Ю.~Егоров, Д.~А.~Зайцев, Е.~В.~Никитина, Р.~П.~Сейсян
\paper Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 774--780
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7622}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018864}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 754--759
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060128}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7622
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p774
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025