Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(310) диаметром 76.2 и 100 мм выращены гетероэпитаксиальные структуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te $n$-типа проводимости для ближнего ИК диапазона спектра ($x\approx$ 0.4). Достигнута хорошая однородность состава по площади структур – изменение величины $x$ на 100 мм пластинах составляет 0.015–0.025. В процессе роста слои КРТ легировались In с концентрацией (0.5–3) $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Исследованы магнетополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне магнитных полей 0.05–1.0 Тл при температуре жидкого азота и комнатной. Экспериментальные значения подвижности электронов при комнатной температуре близки к расчетным, а при температуре жидкого азота меньше расчетных. Обсуждаются возможные причины этого, такие как влияние переходного слоя КРТ на границе с буферным слоем CdTe и дефекты кристаллической решетки структуры КРТ. Исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в структурах КРТ при активационных отжигах.