Влияние концентрации неравновесных носителей заряда на эдс Холла в полупроводнике $p$-типа

Исследована зависимость эдс Холла от внешнего электрического поля в дырочном полупроводниковом образце в слабом магнитном поле. Показано, что эдс Холла нелинейно зависит от электрического поля в образце, толщина которого сравнима с диффузионной длиной, а поверхностная рекомбинация достаточно мала. Знак эдс Холла противоположен ее знаку в массивном образце в определенной области напряженностей электрического поля. Теоретическая модель хорошо описывает экспериментальные данные, полученные на образце $p$-Ge.