К распределению по размерам в трехмерных квантовых точечных кристаллах

Рассчитана функция распределения наноточек по размерам в искусственных трехмерных квантовых точечных кристаллах (Si)Ge/Si и In(Ga)As/GaAs, полученных с использованием шаблонов с совершенной периодичностью. Наноточки пирамидальной формы моделировались конусообразными кластерами, для которых была получена формула Томсона, необходимая при выводе скорости роста (растворения) кластеров в процессе оствальдовского созревания. Из результатов сравнения теоретической кривой с экспериментальными гистограммами следует, что само распределение по размерам формируется в процессе оствальдовского созревания и обусловлено особенностями образования квантовых точек Ge и InAs на предварительно текстурированных подложках Si и GaAs.