Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 814–817 (Mi phts7629)  
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si

В. Б. Божевольнов, А. М. Яфясов, В. Ю. Миайловский, Ю. В. Егорова, А. А. Соколов, Е. О. Филатова

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1400 kB)
Аннотация: Представлен анализ зарядовых свойств многослойной структуры, состоящей из политипов карбида кремния на кремниевой подложке. Знание свойств области пространственного заряда кремния и возможность воздействия на поверхность структуры в эффекте поля [1] позволило получить данные о зарядовых процессах на межфазной границе политипов. Эти данные актуальны для совершенствования методов синтеза электронных структур на основе политипов SiC.
Поступила в редакцию: 14.10.2013
Принята в печать: 21.10.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 792–795
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Б. Божевольнов, А. М. Яфясов, В. Ю. Миайловский, Ю. В. Егорова, А. А. Соколов, Е. О. Филатова, “Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 814–817; Semiconductors, 48:6 (2014), 792–795
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BozYafMia14}
\by В.~Б.~Божевольнов, А.~М.~Яфясов, В.~Ю.~Миайловский, Ю.~В.~Егорова, А.~А.~Соколов, Е.~О.~Филатова
\paper Электрофизические свойства многослойной структуры SiC--Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 814--817
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7629}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018871}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 792--795
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060074}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7629
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p814
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025