Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As–Se–S

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в пленках трехкомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников As–Se–S, легированных самарием. Показано, что спектры КРС состоят из четырех полос, охватывающих интервалы частот 10–100, 195–290, 290–404, 420–507 см$^{-1}$ и сильно изменяющихся легированием. Установлены структурные единицы в As–Se–S и их возможные изменения при легировании. Полученные результаты объясняются исходя из особенностей распределения атомов самария в образце и их химической активностью.